产品用途:
此款CVD系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结,真空淬火退火,快速降温等工艺实验。
产品组成:
CVD系统配置:
1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区)。
2.滑动系统分为手动、电动滑动,并配有风冷系统。
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统(可选配中真空或高真空)
产品特点:
1 控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。
2 气路快速连接法兰结构,提高操作便捷性。
3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵防止意
外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。
4 (电动)滑动系统采用温度控制器自动控制炉体移动,等程序完成,炉体按设定
的速度滑动,因有滑动限位功能,炉体不会发生碰撞,待样品露出炉体后,通过风冷系统快速降温。
5 双管真空密封法兰,反映气体可以在内外管之间发生反应,冷却气体可通过内管,从而使内管外壁温度降低。
特点展示:

产品参数:
系统名称
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1200℃滑动式单/双温区CVD系统
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系统型号
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CVD-12IH-3Z/G
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CVD-12IIH-3Z/G
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CVD-12II6H-3Z/G
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zui高温度
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1200℃
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加热区长度
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420mm
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420mm
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610mm
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恒温区长度
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210mm
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280mm
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400mm
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温区
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单温区
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双温区
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双温区
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石英管管径
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Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm
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Φ50/Φ60/Φ80mm
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Φ80/Φ100mm
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额定功率
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2.5Kw
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3.2Kw
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4.8Kw
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额定电压
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220V
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滑动距离
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380mm
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485mm
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滑动方式
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手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动,当程序完成,炉子按设定的速度滑动)
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温度控制
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国产程序控温系统50段程序控温;
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控制精度
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±1℃
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炉管zui高工作温度
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<1200℃
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气路法兰
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密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然you效,该密封法兰的安装只需在第yi次使用设备的时候安装
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气体控制方式
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质量流量计
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气路数量
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3路(可根据具体需要选配气路数量)
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流量范围
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0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定
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精度
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±1%F.S
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响应时间
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≤4sec
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工作温度
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5-45℃
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工作压力
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进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)
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系统连接方式
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采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
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规格
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中真空
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高真空
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系统真空范围
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10Pa-100Pa
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1x10-3Pa-1x10-1Pa
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真空泵
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双级机械泵理论ji限真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw
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真空分子泵理论ji限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V功率2KW
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真空分子泵理论ji限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V功率2KW
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炉体外形尺寸
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340×580×555mm
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480×770×605mm
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系统外形尺寸
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530×1440×750mm
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530×1440×750mm(不含高真空)
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系统总重量
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230kg
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330kg
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