产品应用：
此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
产品组成：
此款CVD系统配置：
1.1200度开启式真空管式炉（可选配多温区）。
2.多路质量流量控制系统
3.真空系统（可选配中真空或高真空）
产品特点：
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2 气路快速连接法兰结构采用本公司du有的知识产权设计,提高操作便捷性。
3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强耐冲击
分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。
特点展示：
产品参数：
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系统名称
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1200℃三/多温区CVD系统
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系统型号
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CVD-12III-3Z/G
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CVD-12III9-3Z/G
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CVD-12V-3Z/G
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zui高温度
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1200℃
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加热区长度
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655mm
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940mm
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875mm
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恒温区长度
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500mm
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700mm
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770mm
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温区
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三温区
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三温区
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五温区
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石英管管径
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Φ50/Φ60/Φ80mm
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Φ80/Φ100/Φ120mm
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Φ50/Φ60/Φ80mm
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额定功率
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4.8Kw
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7.2Kw
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6Kw
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额定电压
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220V
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380V（三相）
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380V（三相）
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温度控制
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国产程序控温系统50段程序控温；
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温度控制精度
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±1℃
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炉管zui高工作温度
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＜1200℃
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气路法兰
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密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然you效，该密封法兰的安装只需在第yi次使用设备的时候安装
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气体控制方式
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质量流量计
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气路数量
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3路（可根据具体需要选配气路数量）
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流量范围
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0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定
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精度
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±1%F.S
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响应时间
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≤4sec
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工作温度
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5-45℃
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工作压力
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进气压力0.05-0.3Mpa(表压力）
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系统连接方式
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采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
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规格
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中真空
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高真空
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系统真空范围
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10Pa-100Pa
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1x10-3Pa-1x10-1Pa
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真空泵
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双级机械泵理论极xian真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw
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真空分子泵理论极xian真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V功率2KW
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真空分子泵理论极xian真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V功率2KW
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炉体外形尺寸
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360×815×555mm
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410 x1100 x605mm
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360 x1035x555mm
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系统外形尺寸
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530×1440×750mm
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530×1440×750mm(不含高真空)
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系统总重量
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255Kg
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355kg
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